日本电装与FLOSFIA合作,开发用于电动车的新一代氧化镓功率半导体器件

发布时间: 2018-01-05 作者:汽车氪

汽车氪获悉,日本电装和FLOSFIA将投资和开发新一代功率半导体器件,预计将减少和降低用于电动汽车逆变器的能耗、成本、尺寸和重量

日本电装与京都大学创办的一家科技初创公司FLOSFIA宣布合作,将投资和开发新一代功率半导体器件,预计将减少和降低用于电动汽车逆变器的能耗、成本、尺寸和重量。通过联合开发项目,两家公司旨在提高电动汽车动力控制单元的效率,这是推动电动汽车广泛使用的关键。

此外,电装在其8亿日元(约合710万美元)的C轮融资中获得了FLOSFIA发行的新股。C轮的其他投资者还包括三菱重工(Mitsubishi Heavy)、三井矿业冶炼公司SBI材料创新基金(Mitsui Kinzoku-SBI Material Innovation Fund)及Eight Roads投资公司等。

FLOSFIA最初于2011年在京都大学成立,专门研究雾状化学气相沉积( CVD )成膜和氧化镓(Ga2O3)在低损耗功率器件中的应用。京都大学的Shizuo Fujita教授首创了刚玉结构氧化镓(α-Ga2O3)在半导体中的应用。α-Ga2O3半导体的性能表现优于市场上其它半导体。这些半导体具有5.3eV的宽带隙(wide bandgap)和击穿场强(Breakdown field strength),这意味着其能够更好地承受高压应用。

FLOSFIA成功地用α-Ga2O3制备了肖特基势垒二极管( SBD ),与基于SiC开发的SBD相比,其导通损耗降低了86%。电装表示,α-Ga2O3可以取代目前的硅(Si)和碳化硅(SiC)功率半导体,并有助于进一步开发支持未来电动汽车的技术。两家公司将进一步研发用于包括半导体在内的混合动力和电动车用高压产品技术。
目前投资的资金条款未披露。

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